Samsung stabilisce un nuovo record con il modulo DDR5 da 512 GB
L’azienda sudcoreana Samsung ha annunciato di aver raggiunto un nuovo record nel campo delle memorie DRAM. La società ha sviluppato un modulo DRAM DDR5 da 512 GB, il primo al mondo ad essere basato su tecnologia EUV.
Secondo quanto riportato da Samsung, il nuovo modulo DDR5 è stato progettato per offrire prestazioni superiori e una maggiore efficienza energetica rispetto alle memorie DDR4 attualmente in uso. Questo significa che i dispositivi che utilizzano questo tipo di memoria potrebbero registrare un notevole incremento delle prestazioni.
Il modulo DDR5 da 512 GB di Samsung è stato realizzato utilizzando la tecnologia EUV (Extreme Ultraviolet) che consente di aumentare la densità e ridurre i consumi energetici. Questo rende il prodotto ideale per applicazioni che richiedono elevate prestazioni e una minore dissipazione di energia.
Grazie alla capacità di 512 GB, il modulo DDR5 di Samsung potrebbe essere particolarmente utile per dispositivi che richiedono enormi quantità di memoria, come server, workstation e sistemi embedded di fascia alta. Inoltre, la tecnologia EUV permette di ridurre l’impatto ambientale grazie alla maggiore efficienza energetica.
Nonostante la novità annunciata da Samsung, al momento non è ancora chiaro quando i primi dispositivi equipaggiati con il nuovo modulo DDR5 saranno disponibili sul mercato. Tuttavia, l’azienda sudcoreana si dice fiduciosa nel poter portare la memoria DDR5 su larga scala entro la fine dell’anno.
In conclusione, l’annuncio di Samsung riguardo il modulo DDR5 da 512 GB basato su tecnologia EUV rappresenta un importante passo avanti nel settore delle memorie DRAM, con potenziali benefici in termini di prestazioni e efficienza energetica per i dispositivi futuri.
